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专利状态
在存储块之间具有稳定结构的三维存储器件以及用于形成其的方法
有效
专利申请进度
申请
2020-08-17
申请公布
2020-12-22
授权
2024-01-30
预估到期
2040-08-17
专利基础信息
申请号 CN202080002191.9 申请日 2020-08-17
申请公布号 CN112119497A 申请公布日 2020-12-22
授权公布号 CN112119497B 授权公告日 2024-01-30
分类号 H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2024-01-30
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-01-08
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20200817
  • 2020-12-22
    公布
    状态信息
    公布
摘要
公开了3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中,一种3D存储器件包括:在平面图中的多个存储块;以及在平面图中横向地延伸以将存储块中的相邻存储块隔开的至少一个稳定结构。存储块中的每个存储块包括:存储堆叠体,其包括垂直地交错的导电层和第一电介质层;以及多个沟道结构,其各自垂直地延伸穿过存储堆叠体。稳定结构包括电介质堆叠体,电介质堆叠体包括垂直地交错的第二电介质层和第一电介质层。