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专利状态
在存储块之间具有稳定结构的三维存储器件以及用于形成其的方法
有效
专利申请进度
申请
2020-08-17
申请公布
2020-12-22
授权
2024-01-30
预估到期
2040-08-17
专利基础信息
申请号
CN202080002191.9
申请日
2020-08-17
申请公布号
CN112119497A
申请公布日
2020-12-22
授权公布号
CN112119497B
授权公告日
2024-01-30
分类号
H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2024-01-30
授权
状态信息
授权
2021-01-08
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20200817
2020-12-22
公布
状态信息
公布
摘要
公开了3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中,一种3D存储器件包括:在平面图中的多个存储块;以及在平面图中横向地延伸以将存储块中的相邻存储块隔开的至少一个稳定结构。存储块中的每个存储块包括:存储堆叠体,其包括垂直地交错的导电层和第一电介质层;以及多个沟道结构,其各自垂直地延伸穿过存储堆叠体。稳定结构包括电介质堆叠体,电介质堆叠体包括垂直地交错的第二电介质层和第一电介质层。
更多专利
1
存储器器件及其制造方法
2
三维存储器及其制备方法
3
3DNAND存储器件及3DNAND存储器件的制造方法
4
半导体器件的测量方法、装置及存储介质
5
存储器、存储系统及电子设备
6
三维存储器件及用于形成其的方法
7
存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿
8
三维存储器件及其形成方法
9
检测件与芯片的检测方法
10
一种三维存储器及其制作方法
11
一种半导体器件
12
堆叠结构及其制造方法、3DNAND存储器及其制造方法
13
形成三维存储器的方法以及三维存储器
14
存储装置及其多遍编程操作
15
一种膜层生长方法及设备
16
三维存储器器件以及用于形成所述三维存储器器件的方法
17
键合界面缺陷检测方法及装置
18
3DNAND存储器件的制造方法及3DNAND存储器件
19
三维存储器及其制备方法
20
半导体器件的制造方法
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