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专利状态

两步L形选择性外延生长

有效

专利申请进度

申请

2020-07-24

申请公布

2020-12-04

授权

2023-11-03

预估到期

2040-07-24

专利基础信息

申请号	CN202080001699.7	申请日	2020-07-24
申请公布号	CN112041987A	申请公布日	2020-12-04
授权公布号	CN112041987B	授权公告日	2023-11-03
分类号	H10B43/50;H10B43/27;H10B43/35
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-11-03

授权

状态信息

授权
2020-12-22

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11575；申请日:20200724
2020-12-04

公布

状态信息

公布

摘要

本公开提供了一种处理半导体器件的方法，所述半导体器件具有形成在衬底上方的源极牺牲层之上的堆叠层、垂直延伸穿过堆叠层和源极牺牲层的沟道结构、垂直延伸穿过堆叠层的栅极线切口沟槽、以及覆盖堆叠层的未覆盖的顶表面和未覆盖的侧表面的间隔层。所述方法可以包括：通过去除源极牺牲层来暴露沟道结构的下侧壁；在所有未覆盖的表面上形成保护层；通过去除保护层的第一部分和沟道结构的绝缘层来暴露沟道结构的沟道层；在暴露的沟道层之上形成初始源极连接层；通过去除保护层的第二部分来暴露衬底；以及在初始源极连接层和暴露的衬底之上形成源极连接层。

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