半导体器件的制作方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件的制作方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-09

申请公布

2021-03-26

授权

2023-11-28

预估到期

2040-12-09

专利基础信息

申请号	CN202011433365.5	申请日	2020-12-09
申请公布号	CN112563286A	申请公布日	2021-03-26
授权公布号	CN112563286B	授权公告日	2023-11-28
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-11-28

授权

状态信息

授权
2021-04-13

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20201209
2021-03-26

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种半导体器件的制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供表面具有第一堆叠结构的衬底，形成贯穿第一堆叠结构至衬底的多个第一沟道通孔，并在各第一沟道通孔中形成第一填充层；形成贯穿第一堆叠结构至衬底的第一栅极隔槽，第一栅极隔槽位于相邻第一沟道通孔之间，并在第一栅极隔槽中形成第二填充层；在第一堆叠结构上形成第二堆叠结构，形成贯穿第二堆叠结构至第一填充层的第二沟道通孔，去除第一填充层以使第二沟道通孔与第一沟道通孔连通；形成贯穿第二堆叠结构至第二填充层的第二栅极隔槽，去除第二填充层以使第二栅极隔槽与第一栅极隔槽连通。上述栅极隔槽的分步刻蚀能够更好地控制刻蚀关键尺寸，保证了器件的电学性能。

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