一种3DNAND存储器及其制造方法

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专利状态

一种3DNAND存储器及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-03-05

申请公布

2021-07-27

授权

2023-12-05

预估到期

2040-03-05

专利基础信息

申请号	CN202110383228.3	申请日	2020-03-05
申请公布号	CN113178452A	申请公布日	2021-07-27
授权公布号	CN113178452B	授权公告日	2023-12-05
分类号	H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-12-05

授权

状态信息

授权
2021-08-13

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11565；申请日:20200305
2021-07-27

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器及其制造方法，本发明在形成栅线缝隙之前首先在要形成共源极接触部的位置处形成第一顶部选择栅切线，该第一顶部选择栅切线的宽度大于栅线缝隙的宽度，使得形成的共源极接触的周围，由形成顶部选择栅切线的绝缘材料替换堆叠层由此增大了形成共源极的接触部的形成窗口，即使接触部与共源极接触稍有偏差，接触部也不会与桥接共源极接触两侧的栅极层，由此降低了器件的漏电风险，提高了器件的良率。同时，由于增大了接触部的形成窗口，因此一定程度上降低了接触部的制作难度。还可以利用同一掩膜形成第一顶部选择栅切线及第二顶部选择栅切线，节省了掩膜的制备并且节省了刻蚀步骤，因此降低了存储器的制造成本。

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