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专利状态
半导体器件的制造方法
有效
专利申请进度
申请
2021-09-07
申请公布
2021-12-07
授权
2023-09-05
预估到期
2041-09-07
专利基础信息
申请号
CN202111047322.8
申请日
2021-09-07
申请公布号
CN113764349A
申请公布日
2021-12-07
授权公布号
CN113764349B
授权公告日
2023-09-05
分类号
H01L21/8234;H10B41/41;H10B41/27;H10B43/40;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-09-05
授权
状态信息
授权
2021-12-24
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/8234;申请日:20210907
2021-12-07
公布
状态信息
公布
摘要
本申请公开了一种半导体器件的制造方法,包括:分别在衬底的高压器件区和低压器件区形成高压器件栅极和低压器件栅极,并在高压器件栅极和低压器件栅极的上方形成氮化物层;在高压器件栅极的两侧的衬底中形成高压器件区的源极和漏极;在高压器件栅极的两侧以及低压器件栅极的两侧形成第一侧墙,并在低压器件栅极的第一侧墙的两侧的衬底中形成低压器件区的源极和漏极;在高压器件栅极的第一侧墙的两侧以及低压器件栅极的第一侧墙的两侧形成第二侧墙,并在高压器件区的源极和漏极的处于高压器件栅极的第二侧墙的两侧的位置处形成掺杂浓度增高的掺杂区域;以及去除形成在高压器件栅极和低压器件栅极的上方的氮化物层。
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1
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