三维存储器器件以及其制作方法

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专利状态

三维存储器器件以及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2018-11-07

申请公布

2021-01-01

授权

2024-02-27

预估到期

2038-11-07

专利基础信息

申请号	CN202010920661.1	申请日	2018-11-07
申请公布号	CN112164698A	申请公布日	2021-01-01
授权公布号	CN112164698B	授权公告日	2024-02-27
分类号	H10B43/27;H10B43/35
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2024-02-27

授权

状态信息

授权
2021-01-19

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11582；申请日:20181107
2021-01-01

公布

状态信息

公布

摘要

本公开内容提供三维存储器器件的方法与结构。在示例中，用于形成存储器器件的方法包括以下操作。首先，可以在第一晶圆之上形成多个第一半导体沟道，第一晶圆具有外围器件以及与多个第一半导体沟道相邻的多个第一过孔结构。多个第一半导体沟道可以沿着垂直于第一晶圆的表面的方向延伸。此外，可以在第二晶圆之上形成多个第二半导体沟道，第二晶圆具有与多个第二半导体沟道相邻的多个第二过孔结构。多个第二半导体沟道可以沿着垂直于第二晶圆的表面和外围过孔结构的方向延伸。

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