三维存储器件及其形成方法

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专利状态

三维存储器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2021-03-29

申请公布

2021-08-06

授权

2023-07-21

预估到期

2041-03-29

专利基础信息

申请号	CN202180001184.1	申请日	2021-03-29
申请公布号	CN113228277A	申请公布日	2021-08-06
授权公布号	CN113228277B	授权公告日	2023-07-21
分类号	H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-07-21

授权

状态信息

授权
2021-08-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11565；申请日:20210329
2021-08-06

公布

状态信息

公布

摘要

公开了三维（3D）存储器件及其形成方法。在某些方面中，一种3D存储器件包括：衬底；在衬底上横向形成的并且具有中心区域和阶梯区域的堆叠结构；在中心区域中垂直延伸的多个沟道结构；在阶梯区域中垂直延伸的多个虚设沟道结构；以及在阶梯区域中形成的并且电连接至该堆叠结构的多个接触插塞。虚设沟道结构中的至少一个在衬底的横向表面上的垂直投影包括具有方向性的二维形状。

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