一种3DNAND存储器件的制造方法

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专利状态

一种3DNAND存储器件的制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-04-09

申请公布

2020-07-17

授权

2023-07-25

预估到期

2040-04-09

专利基础信息

申请号	CN202010273431.0	申请日	2020-04-09
申请公布号	CN111430362A	申请公布日	2020-07-17
授权公布号	CN111430362B	授权公告日	2023-07-25
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-07-25

授权

状态信息

授权
2020-08-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20200409
2020-07-17

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供一种3D NAND存储器件的制造方法，可以形成刻蚀选择比不均匀的刻蚀掩膜层，刻蚀掩膜层顶部具有更高的刻蚀选择比，因此刻蚀掩膜层在图案化的过程中，对掩膜图形的上部开口尺寸进行了限制，避免掩膜图形的上部开口被错误的扩大导致的掩膜图形不够准确的问题。之后，可以以刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀形成贯穿至导电层的导电层接触孔和/或贯穿至台阶结构的台阶接触孔，由于第二掩膜层具有较高的刻蚀选择比，导电层接触图形和/或台阶接触图形更不易受损而变形，因此提高了接触孔的工艺质量，进而提高器件的工艺质量。

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