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专利状态
三维存储器及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-11-04
申请公布
2021-03-09
授权
2023-09-12
预估到期
2040-11-04
专利基础信息
申请号
CN202011216271.2
申请日
2020-11-04
申请公布号
CN112466880A
申请公布日
2021-03-09
授权公布号
CN112466880B
授权公告日
2023-09-12
分类号
H10B43/10;H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-09-12
授权
状态信息
授权
2021-03-26
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11565;申请日:20201104
2021-03-09
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种三维存储器及其制备方法,在该制备方法中,首先将堆叠结构的阶梯区域沿第二方向划分字线接触区和挡墙区;接着对被台阶分区的各级台阶的侧壁显露出的堆叠结构的层间牺牲层进行侧向蚀刻以形成端部内凹间隙,并于端部内凹间隙内形成牺牲端部,再接着通过两步蚀刻工艺分别去除部分层间牺牲层和牺牲端部,并保留位于各级台阶下方的层间牺牲层(作为栅极绝缘部),以形成栅极间隙,然后于栅极间隙填充导电材料以形成栅极导电部,最后在各级台阶处的栅极导电部上进行接触孔蚀刻,并于接触孔中形成连接柱。利用本发明可以降低接触孔蚀刻的工艺难度,消除接触孔过蚀刻导致不同层字线桥接的风险,提高三维存储器件的性能。
更多专利
1
用于操作半导体器件的方法及半导体器件
2
用于多管芯操作的动态峰值功率管理
3
一种三维存储器结构及其制作方法和三维存储器件
4
3D存储器件及其制造方法
5
3D存储器件及其制造方法
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7
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8
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9
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11
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12
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13
3D存储器中的堆叠连接件及其制造方法
14
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15
三维存储器及其控制方法
16
三维存储器器件和用于形成其的方法
17
三维存储装置及其制造方法
18
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19
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20
测试方法和测试系统
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