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专利状态
三维存储器及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-11-04
申请公布
2021-03-09
授权
2023-09-12
预估到期
2040-11-04
专利基础信息
申请号
CN202011216271.2
申请日
2020-11-04
申请公布号
CN112466880A
申请公布日
2021-03-09
授权公布号
CN112466880B
授权公告日
2023-09-12
分类号
H10B43/10;H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-09-12
授权
状态信息
授权
2021-03-26
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11565;申请日:20201104
2021-03-09
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种三维存储器及其制备方法,在该制备方法中,首先将堆叠结构的阶梯区域沿第二方向划分字线接触区和挡墙区;接着对被台阶分区的各级台阶的侧壁显露出的堆叠结构的层间牺牲层进行侧向蚀刻以形成端部内凹间隙,并于端部内凹间隙内形成牺牲端部,再接着通过两步蚀刻工艺分别去除部分层间牺牲层和牺牲端部,并保留位于各级台阶下方的层间牺牲层(作为栅极绝缘部),以形成栅极间隙,然后于栅极间隙填充导电材料以形成栅极导电部,最后在各级台阶处的栅极导电部上进行接触孔蚀刻,并于接触孔中形成连接柱。利用本发明可以降低接触孔蚀刻的工艺难度,消除接触孔过蚀刻导致不同层字线桥接的风险,提高三维存储器件的性能。
更多专利
1
3D存储器件及其制造方法
2
三维存储器件及用于形成三维存储器件的方法
3
半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法
4
存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿
5
一种3DNAND制作方法及存储器
6
具有划分的漏极选择栅极线的三维存储器器件及其形成方法
7
三维存储器及其制作方法
8
半导体结构
9
半导体结构及其制备方法
10
三维存储器结构及其制备方法
11
用于对闪存模块直接访问的方法和系统
12
一种半导体器件的制备方法
13
半导体器件的制作方法
14
3D存储器件及其制造方法
15
用于三维NAND闪存中的擦除和复位的方法
16
三维存储器设备的开口布局
17
一种3DNAND存储器件的制造方法
18
存储器的操作方法、存储器及存储系统
19
3DNAND存储器件及3DNAND存储器件的制造方法
20
具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法
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