一种3DNAND制作方法及存储器

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专利状态

一种3DNAND制作方法及存储器

有效

专利申请进度

申请

2019-11-08

申请公布

2020-02-18

授权

2023-10-31

预估到期

2039-11-08

专利基础信息

申请号	CN201911086857.9	申请日	2019-11-08
申请公布号	CN110808255A	申请公布日	2020-02-18
授权公布号	CN110808255B	授权公告日	2023-10-31
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-10-31

授权

状态信息

授权
2020-03-13

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20191108
2020-02-18

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供一种3D NAND制作方法及存储器，在3D NAND结构的沟道孔进行各层结构沉积步骤之前，增加牺牲介质层的回刻步骤，增大沟道孔区域的牺牲介质层刻蚀面积，从而扩大牺牲介质层的开孔面积，使得后续沉积形成沟道内各层结构，也即ONOP结构时，ONOP叠层结构在牺牲介质层平面内位于层间介质层的下方，对层间介质层起到支撑作用。在后续去除O/N堆叠结构中的氮化物层，替换为导电金属，制作形成栅极线之前，沟道孔内位于相邻两层层间介质层之间的ONOP结构对层间介质层起到支撑作用，从而使得沟道孔和层间介质层的结构更加稳固，进而降低了O/N堆叠结构中的牺牲介质层去除后，层间介质层出现破裂或坍塌的风险。

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