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专利状态
三维存储器的制作方法及三维存储器
有效
专利申请进度
申请
2021-05-12
申请公布
2021-08-31
授权
2023-08-08
预估到期
2041-05-12
专利基础信息
申请号
CN202110519083.5
申请日
2021-05-12
申请公布号
CN113327927A
申请公布日
2021-08-31
授权公布号
CN113327927B
授权公告日
2023-08-08
分类号
H10B41/30;H10B41/50;H10B41/27;H10B43/30;H10B43/50;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-08-08
授权
状态信息
授权
2021-09-17
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11521;申请日:20210512
2021-08-31
公布
状态信息
公布
摘要
本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法及三维存储器,所述制作方法包括:提供基底;其中,所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的栅极叠层结构;所述栅极叠层结构包括平行于所述衬底的栅极层;所述基底还包括位于第一区域内沿垂直于所述衬底的方向延伸的存储串;形成覆盖所述栅极叠层结构的介质层;在所述介质层中对准所述存储串的位置,形成暴露所述存储串的第一接触孔;在所述介质层中形成暴露所述栅极层的第二接触孔;在形成所述第一接触孔之后,在所述栅极叠层结构周围的所述介质层中形成隔离槽。
更多专利
1
用于校准粒子束的垂直度的方法以及应用于半导体制造工艺的系统
2
三维存储器及其制作方法
3
半导体结构和半导体结构的台阶高度的确定方法
4
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5
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6
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7
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8
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9
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10
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11
三维存储器
12
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13
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14
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15
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16
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双堆栈三维NAND存储器以及用于形成其的方法
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