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专利状态

3D存储器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-03-13

申请公布

2020-06-23

授权

2023-09-26

预估到期

2040-03-13

专利基础信息

申请号	CN202010174271.4	申请日	2020-03-13
申请公布号	CN111326525A	申请公布日	2020-06-23
授权公布号	CN111326525B	授权公告日	2023-09-26
分类号	H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-09-26

授权

状态信息

授权
2020-07-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20200313
2020-06-23

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件的制造方法包括：在衬底上形成叠层结构；形成贯穿叠层结构的沟道孔与伪沟道孔；分别在沟道孔与伪沟道孔的内表面形成堆叠的栅介质层、电荷存储层、隧穿介质层以及半导体牺牲层，衬底与半导体牺牲层至少被栅介质层、电荷存储层以及隧穿介质层分隔；在伪沟道孔上方形成阻挡层，阻挡层封闭伪沟道孔；形成贯穿半导体牺牲层、隧穿介质层、电荷存储层以及栅介质层形成的通孔，通孔位于沟道孔底部；形成通孔后，删除阻挡层，其中，在形成通孔时，阻挡层至少保护位于伪沟道孔底部的半导体牺牲层、隧穿介质层、电荷存储层以及栅介质层不被去除。

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