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专利状态

3D存储器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-01-02

申请公布

2021-12-07

授权

2024-02-27

预估到期

2040-01-02

专利基础信息

申请号	CN202110838979.X	申请日	2020-01-02
申请公布号	CN113764432A	申请公布日	2021-12-07
授权公布号	CN113764432B	授权公告日	2024-02-27
分类号	H10B43/35;H10B43/27;H10B43/50
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2024-02-27

授权

状态信息

授权
2021-12-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20200102
2021-12-07

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件的制造方法包括：衬底；位于衬底上的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；贯穿栅叠层结构的多个沟道柱；以及贯穿栅叠层结构的多个假沟道柱，其中，假沟道柱的材料为介质材料。该3D存储器件采用介质材料形成假沟道柱，避免了假沟道柱底部漏电问题，提高了3D存储器件的良率和可靠性。

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