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专利状态
套刻标记及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2021-12-29
申请公布
2022-04-12
授权
2023-12-29
预估到期
2041-12-29
专利基础信息
申请号 CN202111639652.6 申请日 2021-12-29
申请公布号 CN114326325A 申请公布日 2022-04-12
授权公布号 CN114326325B 授权公告日 2023-12-29
分类号 G03F7/20
分类 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-12-29
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-04-29
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):G03F7/20;申请日:20211229
  • 2022-04-12
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种套刻标记及其形成方法。所述套刻标记包括:第一组衍射套刻标记,包括呈周期性排布的多个第一标记、以及位于所述第一标记上方且呈周期性排布的多个第二标记;第二组衍射套刻标记,包括呈周期性排布的多个所述第二标记、以及位于所述第二标记上方且呈周期性排布的多个第三标记,所述第二组衍射套刻标记的投影完全覆盖全部的所述第一标记。本发明减少了套刻标记整体所占用的切割道区域面积,提高了切割道区域面积的利用率,且提高了套刻测量的准确度。