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专利状态

一种测试方法及装置

有效

专利申请进度

申请

2021-01-05

申请公布

2021-05-28

授权

2023-08-01

预估到期

2041-01-05

专利基础信息

申请号	CN202110008029.4	申请日	2021-01-05
申请公布号	CN112864036A	申请公布日	2021-05-28
授权公布号	CN112864036B	授权公告日	2023-08-01
分类号	H01L21/66
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-08-01

授权

状态信息

授权
2021-06-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/66；申请日:20210105
2021-05-28

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种测试方法及装置，用于测试3D NAND存储器中字线的可靠性，提供测试装置，测试装置包括：第一测试端和第二测试端，第一测试端将第奇数条字线的接触结构串联在一起，第二测试端将第偶数条字线的接触结构串联在一起，第奇数条字线和第偶数条字线相互平行，且相邻的字线之间存在间隔。由于第奇数条字线串联在一起，第偶数条字线串联在一起，若相邻的两条字线之间存在刻蚀穿通的情况，将使得所有的字线串联在一起，即第一测试端和第二测试端处于连接状态，若相邻的两条字线之间不存在刻蚀穿通的情况，第一测试端和第二测试端处于断开状态。因而，通过该测试方法可以直接线上测试字线之间的刻蚀穿通缺陷，提高检测效率。

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