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专利状态
三维存储器的制造方法
有效
专利申请进度
申请
2020-08-26
申请公布
2020-11-20
授权
2023-08-15
预估到期
2040-08-26
专利基础信息
申请号 CN202010870228.1 申请日 2020-08-26
申请公布号 CN111968985A 申请公布日 2020-11-20
授权公布号 CN111968985B 授权公告日 2023-08-15
分类号 H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-08-15
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-12-08
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11524;申请日:20200826
  • 2020-11-20
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及一种三维存储器的制造方法,包括:提供半导体结构,所述半导体结构具有衬底、形成于所述衬底上的堆叠结构,所述堆叠结构包括核心存储区以及台阶区;在所述核心存储区和所述台阶区上方覆盖介质层;在所述台阶区上方的介质层上方覆盖第一光阻层;对所述第一光阻层进行曝光形成超交联结构层;在所述超交联结构层上方覆盖第二光阻层;去除所述核心存储区上方的介质层;以及去除所述台阶区上方的所述第二光阻层和所述超交联结构层。根据该制造方法,可以减少核心区平坦化工艺中的光阻用量,并能有效地保护台阶区和核心存储区的三维结构,避免出现凹陷缺陷。