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专利状态
半导体结构与其制作工艺
有效
专利申请进度
申请
2019-09-06
申请公布
2020-01-10
授权
2023-10-10
预估到期
2039-09-06
专利基础信息
申请号
CN201910844566.5
申请日
2019-09-06
申请公布号
CN110676325A
申请公布日
2020-01-10
授权公布号
CN110676325B
授权公告日
2023-10-10
分类号
H01L29/792;H01L21/336;H10B43/00
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
2023-10-10
授权
状态信息
授权
2020-02-11
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/792;申请日:20190906
2020-01-10
公布
状态信息
公布
摘要
本申请提供了一种半导体结构与其制作工艺。该半导体结构的制作工艺,包括:形成包括沟道孔的基底结构;在沟道孔中形成预备电荷捕获层;对预备电荷捕获层进行预定处理,使得预备电荷捕获层形成电荷捕获层,电荷捕获层的陷阱密度大于预备电荷捕获层的陷阱密度。上述的制作方法中,首先在沟道中形成预备电荷捕获层,然后对该预备电荷捕获层进行预定处理,预备电荷捕获层中的部分材料形成陷阱,从而使得形成的电荷捕获层中的陷阱数量大于预备电荷捕获层中的陷阱的数量。该制作方法形成电荷捕获层中的陷阱的数量较多,缓解了现有技术中的电荷捕获层中的陷阱的数量较少的问题,保证了器件的内存窗口相对较大,进而保证了器件具有良好的性能。
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