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专利状态
半导体结构
有效
专利申请进度
申请
2018-09-19
申请公布
2018-12-07
授权
2024-02-02
预估到期
2038-09-19
专利基础信息
申请号
CN201811091934.5
申请日
2018-09-19
申请公布号
CN108962903A
申请公布日
2018-12-07
授权公布号
CN108962903B
授权公告日
2024-02-02
分类号
H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27
分类
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
2024-02-02
授权
状态信息
授权
2018-12-07
公布
状态信息
公布
摘要
本发明涉及一种半导体结构,所述半导体结构包括衬底;位于所述衬底表面的存储堆叠结构;贯穿所述存储堆叠结构至所述衬底表面的栅线隔槽;填充于所述栅线隔槽中的半导体层,所述半导体层中掺杂有用于减小所述半导体层晶粒大小的掺杂原子。上述方法形成的半导体层晶粒较小,能够提高半导体结构的性能。
更多专利
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3D存储器件及其制造方法
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7
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10
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11
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12
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13
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14
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15
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16
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17
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18
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19
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20
半导体结构
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