一种半导体测试结构和测试方法

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专利状态

一种半导体测试结构和测试方法

有效

专利申请进度

申请

2021-02-20

申请公布

2021-06-18

授权

2023-12-12

预估到期

2041-02-20

专利基础信息

申请号	CN202110193604.2	申请日	2021-02-20
申请公布号	CN112992864A	申请公布日	2021-06-18
授权公布号	CN112992864B	授权公告日	2023-12-12
分类号	H01L23/544;H01L21/66
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-12-12

授权

状态信息

授权
2021-06-18

公布

状态信息

公布

摘要

本申请实施例公开了一种半导体测试结构和测试方法，半导体测试结构包括：第一测试结构和第二测试结构；其中，所述第一测试结构包括第一有源区和位于所述第一有源区上的栅极结构；所述第一有源区的延伸方向不同与所述栅极结构的延伸方向不同；所述第二测试结构包括n个间隔排布的第二有源区和位于n个所述第二有源区上的栅极结构；n个所述第二有源区的延伸方向不同均与所述栅极结构的延伸方向不同，n为大于2的正整数；所述第一有源区沿所述第一测试结构的栅极结构的延伸方向的长度与所述第二有源区沿所述第二测试结构的栅极结构的延伸方向的长度不同。

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