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专利状态
三维存储器件及用于形成三维存储器件的方法
有效
专利申请进度
申请
2020-01-28
申请公布
2021-04-23
授权
2023-09-12
预估到期
2040-01-28
专利基础信息
申请号
CN202110184782.9
申请日
2020-01-28
申请公布号
CN112701121A
申请公布日
2021-04-23
授权公布号
CN112701121B
授权公告日
2023-09-12
分类号
H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-09-12
授权
状态信息
授权
2021-05-11
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11524;申请日:20200128
2021-04-23
公布
状态信息
公布
摘要
公开了3D存储器件以及用于形成3D存储器件的方法的实施例。在一示例中,3D存储器件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的基板。该3D存储器件还包括存储堆叠,该存储堆叠包括在基板的第一侧的交错的导电层和介电层。该3D存储器件还包括多个沟道结构,各沟道结构垂直地延伸穿过存储堆叠。该3D存储器件还包括第一绝缘结构,该第一绝缘结构垂直地延伸穿过存储堆叠,并且横向地延伸以将所述多个沟道结构分离成多个块。该3D存储器件还包括在基板中并且与第一绝缘结构相接触的第一掺杂区。该3D存储器件还包括从基板的第二侧垂直地延伸以与第一掺杂区相接触的第一触点。
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