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专利状态
用于存储器的数据保护方法及其存储装置
有效
专利申请进度
申请
2021-09-08
申请公布
2022-01-21
授权
2023-10-27
预估到期
2041-09-08
专利基础信息
申请号
CN202180002502.6
申请日
2021-09-08
申请公布号
CN113966499A
申请公布日
2022-01-21
授权公布号
CN113966499B
授权公告日
2023-10-27
分类号
G06F3/06
分类
计算;推算;计数;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-10-27
授权
状态信息
授权
2022-02-15
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G06F3/06;申请日:20210908
2022-01-21
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种能够基于RAID来保护存储器中存储的数据的方法及其存储装置,所述存储器包括多个存储模块,每个存储模块包括第一存储块和第二存储块,所述方法包括:在所述存储器的编程过程中,基于所述多个存储模块中的每个存储模块的相应第一存储块的存储数据来生成第一校验码,并且基于所述多个存储模块中的每个存储模块的相应第二存储块的存储数据来生成第二校验码;以及在所述存储器的编程过程之后,基于所述第一校验码和所述第二校验码来生成附加校验码,其中,所述附加校验码用于恢复所述多个存储模块的第一存储块和第二存储块中的其中一个存储块的数据。
更多专利
1
三维存储器器件以及用于形成所述三维存储器器件的方法
2
半导体结构的制作方法以及半导体结构
3
一种三维存储器的制造方法
4
三维存储器结构及其制备方法
5
存储器的操作方法、存储器及存储系统
6
用于增大半导体器件中的多晶硅晶粒尺寸的阶梯式退火工艺
7
半导体工艺以及半导体结构
8
3D存储器件及其制造方法
9
双堆栈三维NAND存储器以及用于形成其的方法
10
三维存储装置及其形成方法
11
3D存储器件及其制造方法
12
一种3DNAND存储器件的制造方法
13
三维存储器及其制备方法
14
3D存储器件及其制造方法
15
闪存颗粒的改进方法、闪存颗粒、存储器和电子设备
16
三维存储器及其形成方法
17
半导体器件的制作方法
18
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19
半导体器件及其制作方法
20
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