半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-05-25

申请公布

2019-12-03

授权

2023-09-22

预估到期

2038-05-25

专利基础信息

申请号	CN201810516884.4	申请日	2018-05-25
申请公布号	CN110534433A	申请公布日	2019-12-03
授权公布号	CN110534433B	授权公告日	2023-09-22
分类号	H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8238
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-09-22

授权

状态信息

授权
2019-12-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20180525
2019-12-03

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底表面具有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内分别具有源漏掺杂区；在所述栅极结构的部分侧壁形成保护层；在所述基底和源漏掺杂区上、以及保护层的侧壁形成第一介质层；去除部分第一介质层，直至暴露出源漏掺杂区的顶部表面，在所述第一介质层内形成接触孔；在所述接触孔内形成插塞。所述方法形成的半导体器件的性能较好。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信