掩膜版及三重图形化的方法

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专利状态

掩膜版及三重图形化的方法

有效

专利申请进度

申请

2019-12-30

申请公布

2021-07-16

授权

2023-10-17

预估到期

2039-12-30

专利基础信息

申请号	CN201911423432.2	申请日	2019-12-30
申请公布号	CN113130303A	申请公布日	2021-07-16
授权公布号	CN113130303B	授权公告日	2023-10-17
分类号	H01L21/033;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-10-17

授权

状态信息

授权
2021-08-03

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/033；申请日:20191230
2021-07-16

公布

状态信息

公布

摘要

一种掩膜版及三重图案化的方法，所述掩膜版包括第一、第二和第三掩膜版；第一掩膜版包括第一矩形窗口图形；所述第二掩膜版包括第二矩形窗口图形；所述第三掩膜版包括第三非矩形窗口图形；所述第一矩形窗口、第二矩形窗口和第三矩形窗口图形拼接构成预设的目标非矩形窗口；所述目标非矩形窗口用于定义衬底表面待刻蚀去除鳍部的区域。上述的方案，可以避免光刻过程中L形拐角处的圆角化（corner rounding）现象影响到鳍部的预定非矩形图案的实际尺寸，故可以提高后续形成器件的性能。

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