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专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-05-25

申请公布

2019-12-03

授权

2023-09-22

预估到期

2038-05-25

专利基础信息

申请号	CN201810516529.7	申请日	2018-05-25
申请公布号	CN110534569A	申请公布日	2019-12-03
授权公布号	CN110534569B	授权公告日	2023-09-22
分类号	H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-09-22

授权

状态信息

授权
2019-12-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/78；申请日:20180525
2019-12-03

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部，鳍部包括若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层之间的第二鳍部层；形成伪栅极结构和位于伪栅极结构两侧的鳍部内的第一凹槽；去除第一凹槽侧壁的部分第一鳍部层以形成第一修正鳍部层和第一鳍部凹槽；在第一鳍部凹槽内形成阻挡层，阻挡层的材料为半导体材料，所述阻挡层内具有第一离子，第一离子填充所述阻挡层材料的原子间隙；在第一凹槽内形成具有源漏离子的源漏掺杂层；形成覆盖伪栅极结构侧壁的介质层；去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层形成栅开口；在栅开口内形成栅极结构。所述方法提高了半导体器件的性能。

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