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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-04-17

申请公布

2021-10-22

授权

2023-10-17

预估到期

2040-04-17

专利基础信息

申请号	CN202010305031.3	申请日	2020-04-17
申请公布号	CN113539969A	申请公布日	2021-10-22
授权公布号	CN113539969B	授权公告日	2023-10-17
分类号	H01L21/8238;H01L27/092
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-10-17

授权

状态信息

授权
2021-11-09

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8238；申请日:20200417
2021-10-22

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、分立于衬底上的多个沟道叠层，沟道叠层包括第一沟道层和位于第一沟道层上的第二沟道层，第一沟道层和第二沟道层的材料不同，基底包括第一区域和第二区域，沟道叠层位于第一区域和第二区域中；在沟道叠层露出的衬底上形成层间介质层，层间介质层中形成有露出沟道叠层的栅极开口；去除第一区域的栅极开口中的第二沟道层；去除第二区域的栅极开口中的第一沟道层；形成包围剩余的第一沟道层和第二沟道层的栅极结构。本发明实施例，使得第一区域和第二区域的晶体管的沟道区的材料不同，以满足不同晶体管的性能需求，进而优化半导体结构的电学性能。

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