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专利状态
半导体结构和半导体结构的形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-05-06
申请公布
2021-11-09
授权
2023-12-22
预估到期
2040-05-06
专利基础信息
申请号 CN202010374195.1 申请日 2020-05-06
申请公布号 CN113629143A 申请公布日 2021-11-09
授权公布号 CN113629143B 授权公告日 2023-12-22
分类号 H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L29/08;H01L23/528;H01L21/336;B82Y10/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-12-22
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-11-09
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及半导体结构的形成方法,其中,半导体结构包括:衬底,以及位于所述衬底上的源极掺杂层;位于所述源极掺杂层上的沟道柱,所述沟道柱具有第一宽度以及第一中心线;位于所述沟道柱顶部的漏极掺杂层,所述漏极掺杂层具有第二宽度以及第二中心线,所述第二宽度大于所述第一宽度,并且,所述第一中心线与所述第二中心线之间的间距大于零。从而,提高了半导体结构的性能。