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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-10-19
申请公布
2020-04-28
授权
2024-01-26
预估到期
2038-10-19
专利基础信息
申请号
CN201811223715.8
申请日
2018-10-19
申请公布号
CN111081546A
申请公布日
2020-04-28
授权公布号
CN111081546B
授权公告日
2024-01-26
分类号
H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-01-26
授权
状态信息
授权
2020-05-22
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20181019
2020-04-28
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括衬底、凸出于衬底上分立的鳍部以及位于鳍部上的一个或多个沟道叠层,沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层,牺牲层与沟道层材料不同;在鳍部上形成伪栅结构;刻蚀伪栅结构两侧的沟道叠层,形成第一凹槽;横向去除第一凹槽侧壁露出的部分宽度的牺牲层,形成位于沟道层与鳍部间的第二凹槽,或者形成位于沟道层间以及沟道层与鳍部间的第二凹槽;在第二凹槽中形成半导体层;在半导体层表面以及第一凹槽中形成源漏掺杂层。因为鳍部、沟道层以及半导体层的材料都为半导体材料,源漏掺杂层与它们的晶格常数相差不大,因此,在半导体层表面形成的源漏掺杂层的质量好。
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