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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-12-03

申请公布

2020-06-09

授权

2023-10-17

预估到期

2038-12-03

专利基础信息

申请号	CN201811465882.3	申请日	2018-12-03
申请公布号	CN111261517A	申请公布日	2020-06-09
授权公布号	CN111261517B	授权公告日	2023-10-17
分类号	H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-10-17

授权

状态信息

授权
2020-07-03

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20181203
2020-06-09

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和凸立于衬底上分立的鳍部；对鳍部进行切断处理，形成通槽，通槽底面与衬底表面齐平，或者低于衬底表面；形成填充满通槽的绝缘层；形成横跨绝缘层的第一栅极结构，第一栅极结构覆盖绝缘层的顶壁和侧壁；形成横跨鳍部的第二栅极结构，第二栅极结构覆盖鳍部的部分顶壁和部分侧壁；在第二栅极结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层。本发明绝缘层填充满鳍部中的通槽，使得绝缘层的顶壁与鳍部的顶壁齐平，绝缘层的侧壁与鳍部的侧壁齐平，鳍部的顶壁和侧壁具有良好的均一性，覆盖绝缘层顶壁和侧壁的第一栅极结构出现倾斜或歪倒的概率较低，进而有利于改善器件的性能以及器件性能的均一性。

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