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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-02-22

申请公布

2020-09-01

授权

2024-03-01

预估到期

2039-02-22

专利基础信息

申请号	CN201910133512.8	申请日	2019-02-22
申请公布号	CN111613581A	申请公布日	2020-09-01
授权公布号	CN111613581B	授权公告日	2024-03-01
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-01

授权

状态信息

授权
2020-09-25

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20190222
2020-09-01

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供鳍部和位于所述鳍部上的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，靠近鳍部一侧的部分沟道层作为第一沟道层，位于第一沟道层上的剩余沟道层作为第二沟道层；形成多个横跨沟道叠层的伪栅结构；在伪栅结构两侧的沟道叠层中形成与第一沟道层接触的第一源漏掺杂层；在第二沟道层侧壁上形成第二源漏掺杂层；去除伪栅结构和牺牲层后，在伪栅结构和牺牲层的位置处形成栅极结构。第一源漏掺杂层、第一沟道层以及栅极结构中包围第一沟道层的栅极结构用于构成一个晶体管，第二源漏掺杂层、第二沟道层以及栅极结构中包围第二沟道层的栅极结构构成另一个晶体管，优化了半导体结构的电学性能。

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