半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-06-10

申请公布

2021-12-10

授权

2024-02-02

预估到期

2040-06-10

专利基础信息

申请号	CN202010523041.4	申请日	2020-06-10
申请公布号	CN113782486A	申请公布日	2021-12-10
授权公布号	CN113782486B	授权公告日	2024-02-02
分类号	H01L21/768;H01L23/528
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-02-02

授权

状态信息

授权
2021-12-10

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一介质层以及位于第一介质层中的第一互连线；在第一互连线上形成与第一互连线的顶面相接触的牺牲柱；在牺牲柱的侧壁上形成第一扩散阻挡层；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层覆盖第一扩散阻挡层的侧壁；在形成第二介质层后，去除牺牲柱，形成由第一扩散阻挡层与第一互连线的顶面围成的导电通孔；对导电通孔进行填充，形成位于导电通孔中的通孔互连结构，通孔互连结构与第一互连线直接接触。通孔互连结构能够与第一互连线直接接触，有利于减少通孔互连结构与第一互连线之间的接触电阻，进而有利于提高通孔互连结构与第一互连线之间的接触性能。

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