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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-08-14

申请公布

2022-02-22

授权

2024-03-22

预估到期

2040-08-14

专利基础信息

申请号	CN202010819896.1	申请日	2020-08-14
申请公布号	CN114078762A	申请公布日	2022-02-22
授权公布号	CN114078762B	授权公告日	2024-03-22
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-22

授权

状态信息

授权
2022-03-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20200814
2022-02-22

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有沿第一方向延伸的初始栅极结构，初始栅极结构两侧基底内形成有源漏掺杂区，初始栅极结构侧部的基底上形成有层间介质层，层间介质层覆盖初始栅极结构侧壁，基底沿第一方向包括多个器件单元区以及位于相邻器件单元区之间的隔离区；刻蚀隔离区的初始栅极结构和层间介质层，形成沿第二方向延伸的隔离槽，隔离槽在第一方向上将初始栅极结构分割为多个栅极结构，第二方向垂直于第一方向；在隔离槽中形成阻断层；以阻断层为掩膜刻蚀器件单元区中栅极结构两侧的层间介质层，形成沿第一方向延伸且露出源漏掺杂区的源漏接触孔；在源漏接触孔中形成源漏接触插塞。本发明能够降低工艺成本。

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