堆叠环栅鳍式场效应管及其形成方法

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专利状态

堆叠环栅鳍式场效应管及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-09-29

申请公布

2020-04-07

授权

2023-09-22

预估到期

2038-09-29

专利基础信息

申请号	CN201811146243.0	申请日	2018-09-29
申请公布号	CN110970300A	申请公布日	2020-04-07
授权公布号	CN110970300B	授权公告日	2023-09-22
分类号	H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-09-22

授权

状态信息

授权
2020-05-01

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20180929
2020-04-07

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，包括以下步骤：提供鳍片，所述鳍片具有沟道层和牺牲层的交替结构；露出所述鳍片沿其延伸方向的端面；沿所述端面对所述沟道层中进行浅掺杂漏注入；对经过所述浅掺杂漏注入后的所述沟道层进行杂质离子掺杂；形成与所述沟道层耦合的源漏外延结构。沟道层经杂质离子注入后，不仅能够防止原掺杂离子与间隙原子形成掺杂缺陷簇，修复沟道的损伤，还能够防止后续形成高浓度掺杂的源漏结构中的掺杂离子向沟道层中的扩散。

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