半导体器件及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-05-05

申请公布

2020-11-06

授权

2024-03-26

预估到期

2039-05-05

专利基础信息

申请号	CN201910368379.4	申请日	2019-05-05
申请公布号	CN111900088A	申请公布日	2020-11-06
授权公布号	CN111900088B	授权公告日	2024-03-26
分类号	H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-03-26

授权

状态信息

授权
2020-11-06

公布

状态信息

公布

摘要

本发明一种半导体器件及其形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有若干分隔排列的鳍部；在所述衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构；在所述衬底上形成、所述伪栅结构的侧壁上形成第一层间介电层，且所述第一层间介电层的顶部低于所述伪栅结构的顶部；定义切断开口图形；沿所述切断开口图形，刻蚀所述伪栅结构，直至暴露出所述衬底，形成切断开口；在所述第一层间介电层上形成第二层间介电层，且所述第二层间介电层填充满所述切断开口，所述第二层间介电层顶部与所述伪栅结构顶部齐平；本发明使得所形成的半导体器件性能稳定。

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