一种半导体器件及其制造方法和电子装置

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专利状态

一种半导体器件及其制造方法和电子装置

有效

专利申请进度

申请

2018-06-27

申请公布

2020-01-03

授权

2024-02-27

预估到期

2038-06-27

专利基础信息

申请号	CN201810681835.6	申请日	2018-06-27
申请公布号	CN110649091A	申请公布日	2020-01-03
授权公布号	CN110649091B	授权公告日	2024-02-27
分类号	H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-02-27

授权

状态信息

授权
2020-02-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/423；申请日:20180627
2020-01-03

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极凹槽；在所述栅极凹槽的底部和侧壁上依次形成高k介电层和功函数层；形成蚀刻阻挡层填充所述栅极凹槽，其中，所述蚀刻阻挡层的顶面低于所述高k介电层和所述功函数层的顶面；以所述蚀刻阻挡层为阻挡层刻蚀去除部分所述功函数层，使所述功函数层的顶面和所述蚀刻阻挡层的顶面齐平；去除部分所述高k介电层，使所述高k介电层的顶面与所述功函数层的顶面齐平；去除所述蚀刻阻挡层。本发明的方法实现了对高k介电层的部分去除，使得金属栅极结构和连接源极和漏极的接触孔之间的高k介电层减少，降低电容，提高器件性能。

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