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专利状态
非挥发性存储装置及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-02-02
申请公布
2020-08-11
授权
2023-10-17
预估到期
2039-02-02
专利基础信息
申请号
CN201910107966.8
申请日
2019-02-02
申请公布号
CN111524893A
申请公布日
2020-08-11
授权公布号
CN111524893B
授权公告日
2023-10-17
分类号
H10B41/30;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-10-17
授权
状态信息
授权
2020-09-04
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11521;申请日:20190202
2020-08-11
公布
状态信息
公布
摘要
一种非挥发性存储装置及其制造方法,所述装置包括:半导体鳍片,具有第一端部和第二端部,第一端部沿第一方向延伸至所述第二端部;其中,第一端部和第二端部之间为通道区;分别位于半导体鳍片相对两侧的第一控制栅和第二控制栅,第一控制栅和第二控制栅沿第一方向延伸;位于第一控制栅和半导体鳍片之间的第一浮栅,第一浮栅至少部分覆盖通道区一侧的侧壁表面;位于第二控制栅和半导体鳍片之间的第二浮栅,第二浮栅至少部分覆盖通道区另一侧的侧壁表面。其中,第一控制栅和第二控制栅共用一个半导体鳍片,提高了器件的集成度,减小了对衬底的占用面积,满足了对器件尺寸日益微缩的要求。
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