半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-05-29

申请公布

2021-12-03

授权

2024-01-26

预估到期

2040-05-29

专利基础信息

申请号	CN202010473461.6	申请日	2020-05-29
申请公布号	CN113745152A	申请公布日	2021-12-03
授权公布号	CN113745152B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L21/768;H01L23/528
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2021-12-21

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/768；申请日:20200529
2021-12-03

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在待刻蚀层上形成沿第一方向延伸的核心层；在核心层侧壁形成第一侧墙；形成沿第一方向延伸的牺牲层，牺牲层与核心层沿第二方向间隔排列，第二方向垂直于第一方向，牺牲层顶面高于核心层顶面，牺牲层低于核心层顶面的部分作为底部牺牲层；在底部牺牲层和第一侧墙的侧壁形成第二侧墙；在第二侧墙、牺牲层、第一侧墙和核心层露出的待刻蚀层上形成填充层，与第一侧墙和第二侧墙构成掩膜层；去除核心层形成第一凹槽，去除牺牲层形成第二凹槽；以掩膜层为掩膜刻蚀第一凹槽和第二凹槽下方的待刻蚀层。本发明实施例有利于提高目标图形的布局设计灵活度和自由度、节约成本。

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