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专利状态
半导体结构的形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-01-17
申请公布
2021-07-20
授权
2024-03-01
预估到期
2040-01-17
专利基础信息
申请号
CN202010055421.X
申请日
2020-01-17
申请公布号
CN113140458A
申请公布日
2021-07-20
授权公布号
CN113140458B
授权公告日
2024-03-01
分类号
H01L21/336;H01L21/3065;H01L21/311
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-03-01
授权
状态信息
授权
2021-08-06
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20200117
2021-07-20
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构的形成方法,形成方法包括:提供基底;在基底上形成初始图形层;对初始图形层的侧壁进行一次或多次原子层刻蚀处理,形成图形层,原子层刻蚀处理的步骤包括:在初始图形层的侧壁上形成有机物层;去除有机物层。通常初始图形层侧壁最表面的原子与内层原子的键能小于内层原子之间的键能,有机物层通常带有能与初始图形层侧壁反应的元素,使得初始图形层侧壁最表面的原子与内层原子的键能进一步的减小,在去除有机物层的过程中,能够剥离初始图形层侧壁最表面的原子,如此,经过多次原子层刻蚀处理后,初始图形层侧壁上的凸出区域被抹平,相应的,形成的图形层的侧壁粗糙度较小,能够提高半导体结构的电学性能。
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