数据存储方法及电路、装置、可读存储介质

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专利状态

数据存储方法及电路、装置、可读存储介质

有效

专利申请进度

申请

2019-10-23

申请公布

2021-04-23

授权

2024-01-26

预估到期

2039-10-23

专利基础信息

申请号	CN201911013519.2	申请日	2019-10-23
申请公布号	CN112700807A	申请公布日	2021-04-23
授权公布号	CN112700807B	授权公告日	2024-01-26
分类号	G11C13/00
分类	信息存储;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2021-05-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C13/00；申请日:20191023
2021-04-23

公布

状态信息

公布

摘要

一种数据存储方法及电路、装置、可读存储介质，所述数据存储方法包括：根据待存储数据的值，确定预充电电压大小；根据所述预充电电压大小，对存储单元进行预充电，控制所述存储单元中的RRAM变化到对应的阻态；所述阻态包括高阻态和低阻态；下拉第一位线或第二位线，使得所述存储单元中的第一存储节点和第二存储节点分别写入第一值和第二值。采用上述方案，可以使存储单元存储更多数据。

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