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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-06-18
申请公布
2020-12-18
授权
2024-03-01
预估到期
2039-06-18
专利基础信息
申请号
CN201910528461.9
申请日
2019-06-18
申请公布号
CN112103249A
申请公布日
2020-12-18
授权公布号
CN112103249B
授权公告日
2024-03-01
分类号
H01L21/8238;H01L29/06;H01L27/092
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-03-01
授权
状态信息
授权
2021-01-05
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/8238;申请日:20190618
2020-12-18
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,所述方法包括:提供基底,所述基底上形成有栅极结构;在所述栅极结构两侧的基底上形成第一外延层;在所述基底形成有所述第一外延层的一侧,形成覆盖所述基底表面的层间介质层;在所述层间介质层上形成暴露所述第一外延层的金属接触孔;在所述金属接触孔内形成第二外延层,所述第二外延层覆盖所述金属接触孔的底面,且表面低于所述层间介质层的表面;在所述金属接触孔内形成金属电极。所述方法增大源漏掺杂层的尺寸,提高器件性能。
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