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专利状态
一种半导体结构及形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-02-01
申请公布
2020-08-11
授权
2023-12-26
预估到期
2039-02-01
专利基础信息
申请号
CN201910105328.2
申请日
2019-02-01
申请公布号
CN111524793A
申请公布日
2020-08-11
授权公布号
CN111524793B
授权公告日
2023-12-26
分类号
H01L21/033;H01L21/768;H10B43/20
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-12-26
授权
状态信息
授权
2020-08-11
公布
状态信息
公布
摘要
本发明实施例提供了一种半导体结构及形成方法。本发明实施例通过在自对准四次图形工艺过程(SAQP)中,形成间距不同的第一芯轴,以及覆盖所述第一芯轴两侧的第一侧墙,对图案间距要求不高的部分区域的第一侧墙之间形成一个隔离层使得两个第一侧墙和之间的隔离层的图案保留到在后的掩膜工艺步骤中,从而可以实现在部分区域采用自对准双图形工艺(SADP),在部分区域采用SAQP工艺。由此,可以减少掩膜数量,降低生产成本。
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