半导体结构的形成方法、晶体管

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

半导体结构的形成方法、晶体管

有效

专利申请进度

申请

2019-11-26

申请公布

2021-05-28

授权

2024-03-08

预估到期

2039-11-26

专利基础信息

申请号	CN201911174095.8	申请日	2019-11-26
申请公布号	CN112864092A	申请公布日	2021-05-28
授权公布号	CN112864092B	授权公告日	2024-03-08
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-08

授权

状态信息

授权
2021-06-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20191126
2021-05-28

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，基底包括图形稀疏区和图形密集区，基底包括衬底、多个分立于衬底上的鳍部以及位于鳍部上的掩膜层；形成露出部分厚度的掩膜层的隔离材料层；形成隔离材料层后，去除掩膜层；去除掩膜层后，对隔离材料层进行刻蚀处理，形成隔离层，隔离层露出部分高度的鳍部，刻蚀处理的步骤包括：采用湿法刻蚀工艺对隔离材料层进行第一刻蚀。本发明实施例，湿法刻蚀的过程中，图形密集区中的隔离材料层的被刻蚀速率明显大于图形稀疏区中的隔离材料层的被刻蚀速率，降低了图形密集区的隔离层顶部和图形稀疏区的隔离层的顶部的距离，有利于提高半导体结构器件性能的均一性，优化了半导体结构的性能。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信