半导体器件及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-07-16

申请公布

2020-01-24

授权

2024-01-26

预估到期

2038-07-16

专利基础信息

申请号	CN201810777300.9	申请日	2018-07-16
申请公布号	CN110729341A	申请公布日	2020-01-24
授权公布号	CN110729341B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2020-02-25

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/06；申请日:20180716
2020-01-24

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底和鳍部，半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域的上方分别对应设置有鳍部；形成第一源掺杂薄膜，第一源掺杂薄膜覆盖鳍部的表面；在相邻鳍部之间形成层间介质层；除去部分层间介质层和部分第一源掺杂薄膜，以暴露鳍部的顶部表面；除去第一区域上方的鳍部，以形成第一凹槽；除去第一凹槽两侧的第一源掺杂薄膜；形成覆盖第一凹槽两侧壁的第二源掺杂薄膜；在第一凹槽内形成第一替代鳍部；和采用退火工艺处理层间介质层。离子扩散后，能够避免鳍部表面形成缺陷。

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