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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-01-11

申请公布

2020-07-21

授权

2024-02-06

预估到期

2039-01-11

专利基础信息

申请号	CN201910027655.0	申请日	2019-01-11
申请公布号	CN111435651A	申请公布日	2020-07-21
授权公布号	CN111435651B	授权公告日	2024-02-06
分类号	H01L21/768
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-02-06

授权

状态信息

授权
2020-08-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/768；申请日:20190111
2020-07-21

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、位于衬底上的介质层、位于介质层上的介质掩膜材料层以及位于介质掩膜材料层上的图形定义层；在图形定义层上形成多个分立的图形掩膜层；以图形掩膜层为掩膜刻蚀图形定义层，形成金属阻断层；图形化介质掩膜材料层，形成介质掩膜层；形成介质掩膜层后，以金属阻断层和介质掩膜层为掩膜刻蚀介质层，在介质层中形成多个介质凹槽以及位于介质凹槽之间的介质隔层，介质隔层顶面与介质掩膜层底面齐平，且在刻蚀介质层的过程中，刻蚀工艺对介质层的刻蚀速率大于对金属阻挡层的刻蚀速率。后续填充在介质凹槽中的导电材料不易相接触，实现了器件的隔离，优化了半导体结构的电学性能。

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