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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-08-14

申请公布

2021-02-23

授权

2024-01-26

预估到期

2039-08-14

专利基础信息

申请号	CN201910749782.1	申请日	2019-08-14
申请公布号	CN112397451A	申请公布日	2021-02-23
授权公布号	CN112397451B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2021-03-12

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20190814
2021-02-23

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供包括多个相邻的器件单元区的基底，基底上形成有横跨多个器件单元区的初始器件栅极结构；刻蚀相邻器件单元区交界处的部分厚初始器件栅极结构，形成顶部开口；在顶部开口侧壁上形成侧墙层；刻蚀侧墙层露出的剩余初始器件栅极结构，在剩余初始器件栅极结构内形成露出基底的底部开口，且剩余初始器件栅极结构作为器件栅极结构；在顶部开口和底部开口内形成隔离结构。侧墙层用于调节底部开口的宽度，使底部开口宽度小于顶部开口宽度，因此能够适当增大顶部开口宽度，以增大形成顶部开口的工艺窗口，从而使相邻器件单元区较好地实现隔离，同时提高器件栅极结构的完整性，进而有利于提高晶体管的性能。

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