半导体器件及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-09-26

申请公布

2020-04-03

授权

2023-12-22

预估到期

2038-09-26

专利基础信息

申请号	CN201811124658.8	申请日	2018-09-26
申请公布号	CN110957219A	申请公布日	2020-04-03
授权公布号	CN110957219B	授权公告日	2023-12-22
分类号	H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-12-22

授权

状态信息

授权
2020-04-03

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部和栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，且所述栅极结构覆盖所述鳍部部分顶部表面和底部表面；在所述栅极结构两侧的所述鳍部内形成源漏凹槽，所述源漏凹槽包括底部区和位于底部区上的顶部区，在沿鳍部延伸方向上，所述顶部区尺寸大于底部区尺寸，所述顶部区侧壁到栅极结构侧壁的最小距离小于底部区侧壁到栅极结构侧壁的最小距离；在所述源漏凹槽内形成源漏掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能。

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