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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-03-05
申请公布
2021-09-07
授权
2023-10-20
预估到期
2040-03-05
专利基础信息
申请号
CN202010146850.8
申请日
2020-03-05
申请公布号
CN113363256A
申请公布日
2021-09-07
授权公布号
CN113363256B
授权公告日
2023-10-20
分类号
H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/08;H01L29/36
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
2023-10-20
授权
状态信息
授权
2021-09-24
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/088;申请日:20200305
2021-09-07
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:基底,所述基底包括第一区、以及与所述第一区相邻的第二区,所述第一区包围所述第二区;位于所述第一区表面的第一掺杂层,所述第一掺杂层内掺杂有第一导电类型离子,且所述第一导电类型离子具有第一浓度;位于所述第二区表面的第二掺杂层,所述第二掺杂层内掺杂有第一导电类型离子,所述第一导电类型离子具有第二浓度,且所述第二浓度小于所述第一浓度;位于所述第二掺杂层表面的第一沟道柱,所述第一沟道柱内掺杂有第二导电类型离子,且所述第二导电类型离子的导电类型和所述第一导电类型离子的导电类型相反。所述半导体结构的性能较好。
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