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专利状态
SRAM中工艺角分析模型的生成方法及工艺角的确定方法
有效
专利申请进度
申请
2020-01-21
申请公布
2021-08-06
授权
2024-02-13
预估到期
2040-01-21
专利基础信息
申请号
CN202010072716.8
申请日
2020-01-21
申请公布号
CN113221494A
申请公布日
2021-08-06
授权公布号
CN113221494B
授权公告日
2024-02-13
分类号
G06F30/367;G11C11/412
分类
计算;推算;计数;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-02-13
授权
状态信息
授权
2021-08-24
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G06F30/367;申请日:20200121
2021-08-06
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开一种SRAM中工艺角分析模型的生成方法,包括:建立以下拉晶体管阈值电压和传输栅极晶体管阈值电压的相关σ值分别为横坐标和纵坐标的二维坐标系;在坐标系上通过仿真得出多个对应下拉晶体管阈值电压和传输栅极晶体管阈值电压的电压分布点;取预设σ值范围内的电压分布点,根据电压分布点建立用于工艺角分析的椭圆模型。本发明还公开了一种SRAM中工艺角的确定方法,采用上述方法建立的椭圆模型,能够准确地体现读电流与下拉晶体管阈值电压和传输栅极晶体管阈值电压之间的关系;同时便于寻找SRAM的工艺角;且使得不同的σ值对应的工艺角的计算变得容易;前述工艺角具体可以是最差工艺角。
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