一种半导体结构及形成方法

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专利状态

一种半导体结构及形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-01-31

申请公布

2020-08-07

授权

2024-02-27

预估到期

2039-01-31

专利基础信息

申请号	CN201910098803.8	申请日	2019-01-31
申请公布号	CN111508826A	申请公布日	2020-08-07
授权公布号	CN111508826B	授权公告日	2024-02-27
分类号	H01L21/033;H10B10/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-02-27

授权

状态信息

授权
2020-09-01

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/033；申请日:20190131
2020-08-07

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例提供了一种半导体结构及形成方法。本发明实施例通过在自对准四次图形工艺过程（SAQP）中，对图案间距要求不高的部分区域的芯轴覆盖一个保护层使得芯轴保留到在后的掩膜工艺步骤中，从而可以实现在部分区域采用自对准双图形工艺（SADP），在部分区域采用SAQP工艺。由此，可以减少掩膜数量，降低生产成本。

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