一种半导体器件及形成方法

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专利状态

一种半导体器件及形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-04-14

申请公布

2021-10-22

授权

2023-11-03

预估到期

2040-04-14

专利基础信息

申请号	CN202010291020.4	申请日	2020-04-14
申请公布号	CN113540105A	申请公布日	2021-10-22
授权公布号	CN113540105B	授权公告日	2023-11-03
分类号	H10B41/35;H10B41/50;H10B41/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-11-03

授权

状态信息

授权
2021-11-09

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11524；申请日:20200414
2021-10-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，通过去除第一控制栅结构之间的部分浅沟槽隔离结构以及所述第一控制栅结构下方区域的部分所述浅沟槽隔离结构，在存储单元区的有源区之间形成第一凹槽，之后，在第一堆叠栅结构和半导体衬底上形成具有空隙的介质层。而因为空隙和第一凹槽的介电常数低，因此，本发明实施例的形成方法使得存储单元区的各有源区之间以及各第一堆叠栅结构之间的平均介电常数降低，进而能够降低存储单元区的有源区之间以及第一堆叠栅结构之间的电容，避免编程串扰，提高半导体器件的可循环性。因此，本发明实施例的半导体器件的形成方法能够提高半导体器件的性能。

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