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专利状态

刻蚀方法

有效

专利申请进度

申请

2019-11-26

申请公布

2021-05-28

授权

2023-10-27

预估到期

2039-11-26

专利基础信息

申请号	CN201911177575.X	申请日	2019-11-26
申请公布号	CN112863999A	申请公布日	2021-05-28
授权公布号	CN112863999B	授权公告日	2023-10-27
分类号	H01L21/02;H01L21/306
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-10-27

授权

状态信息

授权
2021-06-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/02；申请日:20191126
2021-05-28

公布

状态信息

公布

摘要

本申请属于半导体技术领域，具体地涉及一种半导体器件刻蚀方法。所述刻蚀方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的介质层，所述介质层中形成有经刻蚀工艺形成的通孔，所述通孔结构表面包括所述刻蚀工艺中残留的含氟基团；使用碱性溶液对所述通孔进行第一清洗，去除残留的含氟基团；对所述通孔进行第二清洗；对所述通孔进行第三清洗。本申请提供的一种半导体器件刻蚀方法，在刻蚀所述介质层形成通孔后，使用碱性溶液对所述通孔进行第一清洗，去除残留的含氟基团，可以避免所述含氟基团溶于酸性或中性溶液后对刻蚀停止层造成缺口，从而改善器件的可靠性。

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